华虹半导体苦求全超结功率半导体器件过头制造关节专利, 波及半导体集成电路制造时刻规模
2025-06-03金融界2025年5月27日音问，国度常识产权局信息败露，华虹半导体（无锡）有限公司苦求一项名为“全超结功率半导体器件过头制造关节”的专利，公开号CN120050980A，苦求日历为2025年01月。 专利提要败露，本苦求波及半导体集成电路制造时刻规模，具体波及一种全超结功率半导体器件过头制造关节。全超结功率半导体器件包括：衬底层；底层外延层，底层外延层变成于衬底层上，底层外延层中变成沿第一标的轮流罗列的第一P型掺杂区和第一N型掺杂区；表层外延层，表层外延层变成于底层外延层上，表层外延层中变成沿